KnCMiner planea lanzar un ASIC de minería de Bitcoin de 16 nm en 2015

El diseñador de hardware para minería de Criptomonedas KnCMiner planea implementar su ASIC de Bitcoin de próxima generación a principios de 2015.

La compañía sueca anunció que su próximo ASIC solar se fabricará en el nuevo nodo FinFET de 16 nm, lo que permitirá importantes ganancias de rendimiento y eficiencia.

En un comunicado, la compañía afirmó que confiará en soluciones desarrolladas por su equipo de ingeniería, señalando:

"El proceso de 16 nm representa un cambio radical en la capacidad de procesamiento, ya que utilizamos diversas técnicas patentadas, desarrolladas internamente, para alcanzar velocidades un orden de magnitud superior a los niveles actuales".

KnCMiner revela las especificaciones de su nuevo ASIC

KnCMiner

se convirtió en el primer diseñador de ASIC de Bitcoin en lanzar un chip planar de 20 nm a principios de este año. primeros chips NeptuneSe fabricaron hace unos meses y la transición al nuevo proceso supuso una mejora significativa del rendimiento con respecto a los chips de 28 nm de la generación anterior. El Neptune de 20 nm cuenta con 1440 núcleos y consume 0,57 W por GH/s.

Se espera que la nueva plataforma Solar ofrezca un rendimiento seis veces superior al del hardware de 20 nm de la generación anterior de KnC. Las mejoras en eficiencia son aún mayores, ya que la compañía afirmó que los nuevos chips Solar alcanzarán 0,07 W por GH/s.

El ASIC Solar de KnC cuenta con más de 5000 núcleos, lo que lo hace considerablemente más complejo que el Neptune. El proceso de 16 nm permite densidades más altas que el nodo de 20 nm, lo que permite a los diseñadores integrar más transistores por milímetro cuadrado.

El nuevo proceso de fabricación también permite velocidades de reloj más altas y una mayor eficiencia, pero por el momento solo ONE pueden especular las cifras exactas. KnCMiner no revela los nombres de sus socios de fabricación, lo que impide realizar comparaciones directas entre nodos.

Los ASIC de Bitcoin se vuelven 3D

El anuncio de KnCMiner representa otro paso hacia la fabricación de procesos de chips ASIC de Bitcoin de próxima generación en medio de un cambio más amplio en la industria de chips en su conjunto.

FinFET permite a los diseñadores utilizar diseños de transistores no planares, por lo que a menudo se dice que los chips basados ​​en esta Tecnología incorporan transistores 3D. Los distintos fabricantes de chips tienen distintas definiciones de lo que constituye un proceso de fabricación FinFET, pero el objetivo de todos estos nuevos procesos es el mismo de siempre: ofrecer una mayor eficiencia y un rendimiento superior.

Intel fue el primer fabricante de chips en empezar a emplear transistores 3D no planares en chips comerciales, pero estos chips se conocen como diseños tri-gate en lugar de FinFET. La distinción tecnológica es difusa: aunque Intel no utiliza la marca FinFET, sus chips de 14 nm y 22 nm, concretamente los diseños de las generaciones Ivy Bridge y Haswell, pueden describirse informalmente como chips FinFET.

Si bien Intel ha incursionado en el negocio de la fundición en los últimos años, la compañía no alquila sus procesos de fabricación más recientes a terceros. Por lo tanto, los diseñadores de chips pueden elegir entre los procesos de Globalfoundries/Samsung y Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC).

Nodo FinFET de 16 nm de TSMC

El 16FF ya ha entrado en producción de riesgo y la compañía describió los rendimientos como excelentes. La compañía adelantó su proceso de 16FF aproximadamente una cuarta parte y ahora espera comenzar la producción en masa en el primer trimestre de 2015. TSMC inicialmente planeaba comenzar la producción en masa en el segundo trimestre.

Samsung y Globalfoundriesunieron fuerzas para impulsar FinFETA principios de este año, ambas compañías afirmaron que deberían estar listas para fabricar sus primeros productos FinFET de 14 nm a finales de 2014, pero la aceleración se producirá más adelante, en algún momento de 2015.

Pocas desventajas potenciales

Una de las pocas desventajas de migrar a FinFET de 16 nm, y de hecho de cada nuevo nodo, es la posibilidad de bajos rendimientos. Los procesos maduros no presentan problemas de rendimiento, y estos tienden a afectar mucho más a chips complejos y grandes, como las GPU de gama alta. Los problemas de rendimiento implican que los fabricantes simplemente obtienen más matrices defectuosas por oblea, lo que incrementa el precio unitario de las matrices en buen estado.

Sin embargo, este problema suele presentarse al trabajar con chips de gran volumen, ya que un bajo rendimiento puede erosionar rápidamente los márgenes del fabricante. Los ASIC de Bitcoin son de bajo volumen y tienen un ciclo de vida muy corto, por lo que cualquier posible problema probablemente se verá compensado por un rendimiento superior. Además, TSMC ha afirmado anteriormente que el rendimiento de sus FinFET de 16 nm es bueno.

Los chips construidos utilizando los últimos procesos de fabricación también tienden a costar un poco más que los construidos en nodos maduros, pero una vez más la prima de precio se ve compensada por un rendimiento superior, incluso en chips de consumo, por no hablar de los ASIC de Bitcoin .

Ilustración de la marca Solar cortesía de KnCMiner